The NexION 350S gồm một Universal Cell 2 kênh đã được tối ưu cho độ nhạy. Hệ thống sử dụng các khí phản ứng có độ tinh khiết cao để loại bỏ tất cả các nhiễu với ít hoặc không làm mất đi độ nhạy. Cấu hình NexION 350S được thiết kế đặc biệt cho công nghệ bán dẫn
Chế độ kép đồng thời (đầu dò analog/digital)
Hệ thông đưa mẫu dễ dàng và rộng
Bộ phát cao tần plasma tự hành
Chỉnh vị trí tháp tự động theo 3 chiều X, Y, Z
Công nghệ PlasmaLok
Tứ cực quét tộc độ cao nhất trong công nghiệp
Công nghệ Universal Cell
Bộ làm trệch ion dạng tứ cực (QID)
Giao diện 3 tầng chóp
Cửa sổ quan sát plasma
Hệ thống chân không 4 tầng
Thiết kế để bàn, gọn

Dải khối: 1 – 285 amu

Giới hạn phát hiện:

⁹Be < 1 ppt (ng/L),

⁴⁰Ca < 1 ppt (ng/L),

⁵⁶Fe < 0.7 ppt,

⁵⁹Co < 1 ppt,

¹¹⁵In < 0.2 ppt,

²³⁸U < 0.2 ppt

Độ nhậy:

⁹Be > 5 M cps/mg/L,

²⁴Mg > 25 M cps/mg/L,

¹¹⁵In > 70  M cps/mg/L,

²³⁸U > 50 M cps/mg/L

Các mảnh hoá trị 2 hay mảnh oxyt:

      CeO⁺/ Ce⁺            < 0.025

      Ce++/Ce+                    < 0.03

Tín hiệu đường nền tại số khối 220 < 1 cps

Độ chính xác ngắn hạn (được xác định là độ lệch chuẩn tương đối (% RSD) cho dung dịch đa nguyên tố nồng độ 1-10 mg/L, quay vòng tự động giữa chế độ chuẩn, DRC và chế độ KED, thời gian xử lý là 3 giây và không sử dụng nội chuẩn) < 3% RSD

Độ ổn định dài hạn (được xác định là độ ổn định tương đối sau 1 giờ bật máy. Là độ lệch chuẩn của giá trị tín hiệu cho dung dịch đa nguyên tố nồng độ 1-10 mg/L, tự động quay vòng giữa chế độ chuẩn, DRC và chế độ KED, thời gian đo 10 phút đo 1 lần, không sử dụng chuẩn nội: < 4% RSD trong 4 giờ

Độ chính xác tỉ lệ đồng vị (được xác định là tỷ lệ đồng vị ¹⁰⁷Ag/ ¹⁰⁹Ag, thu được khi chuyển vị trí peak đơn: < 0.08% RSD

Độ ổn định chuẩn khối (được đo bằng việc sử dụng dung dịch đa nguyên tố nồng độ 1 mg/L chứa ⁷Li, ²⁴Mg, ¹¹⁵In, ²³⁸U. Là độ trôi của vị trí peak có cường độ cao nhất cho mỗi nguyên tố, nhận được mà không cần dụng thuật toán đa toán đa điểm và các thuật toán tìm đỉnh) < 0.05 amu qua hơn 8 giờ chạy máy liên tục.

Bộ phát cao tần: Tần số phát cao tần: 40 MHz, dải công suất điều chỉnh: 500 tới 1600 W, bước tăng 1 W